SSD Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW 2,5 Zoll, intern, SATA III, 2TB SSD - Merkmale:- Speicher: 2TB - Ausführung: intern - Bauform: 2.5 Zoll - Anschluss: SATA - Speichertyp: SSD

SSD (Solid State Drive), 1 TB - intern - Datenübertragungsrate: 7450 Mbps (lesen) / 6900 Mbps (schreiben), - IOPS: 1200000 Mbps (lesen) / 1550000 Mbps (schreiben), 1GB LPDDR4 RAM, - Größe: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 - Verbindung, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), - Hardware-Verschlüsselung: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller

Solid State Drive

Festplatte Samsung 870 Evo MZ-77E2T0B/EU Speicher: 2TBAusführung: internBauform: 2.5 ZollAnschluss: SATASpeichertyp: SSD----------------------------------------weitere Produktinformationen:Speicherkapazität: 2TB / 2000 GBBauform: 2,5 Zoll / 6,35cm / intern (Ultra-Slim-Line)Anschluss: SATA 6Gb/s / SATA IIIFormat: Solid State Drive (SSD Flash-Speicher)Speichertyp: 3D V-NANDGeschwindigkeit: Lesen: 560 MB/s, Schreiben: 530 MB/sZuverlässigkeit (MTBF): 1.500.000 StundenZuverlässigkeit Schreib- und Lesevorgänge (IOPS): 88.000 / 98.000

Typ:SSMHersteller-Nr.:MZ-V7S1T0BW EAN: 8801643628086 Serie:970 EVO PlusModellbezeichnung:MZ-V7S1T0BW Bauform:SteckkarteKapazität:1 TBSchnittstelle:1xM.2Internes Interface:PCleDatentransferrate:Lesen:3500 MB/sSchreiben3300 MB/sChiptyp:TLCStromverbrauch:Lesen/Schreiben:6 WattRuhezustand:0,03 WattIOPS:Lesen:600.000Schreiben:550.000MTBF:1.500.000 StundenTrim:JaController:Samsung Phoenix-ControllerAbmessungen:Breite: 22 mmHöhe: 2 mmTiefe/Länge: 80 mmGewicht:8 GrammFeature: 2 GB LPDDR4-SDRAM

Typ:SSMHersteller-Nr.:MZ-V7S500BW EAN: 8801643628116 Serie:970 EVO PlusModellbezeichnung:MZ-V7S500BW Bauform:SteckkarteKapazität:500 GBSchnittstelle:1xM.2Internes Interface:PCleDatentransferrate:Lesen:3500 MB/sSchreiben3200 MB/sChiptyp:TLCStromverbrauch:Lesen/Schreiben:5,8 WattRuhezustand:0,03 WattIOPS:Lesen:480.000Schreiben:550.000MTBF:1.500.000 StundenTrim:JaController:Samsung Phoenix-ControllerAbmessungen:Breite: 22,15 mmHöhe: 2,38 mmTiefe/Länge: 80,15 mmGewicht:8 GrammFeature: 2 GB LPDDR4-SDRAM

Puffer 1.024 MB Lesetransferrate 7.000 MB/s Schreibtransferrate 5.000 MB/s MTBF 1.500.000 h max. Schreibvolumen (TBW) 600 TB 4K Random Read IOPS 1.000.000 4K Random Write IOPS 1.000.000 Eigenschaften Kapazität in GB 1.000 GB Bauart intern Speichertyp V-NAND TLC